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NTD5802N, NVD5802N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 50 A
T J = 25 ° C
0.9
1.2
V
V GS = 0 V,
I S = 20 A
T J = 25 ° C
0.8
1.0
Reverse Recovery Time
t RR
25
ns
Charge Time
Discharge Time
ta
tb
V GS = 0 V, dIs/dt = 100 A/ m s,
I S = 50 A
15
10
Reverse Recovery Charge
Q RR
15
nC
http://onsemi.com
3
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